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MJD200T4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MJD200T4
廠商型號(hào)

MJD200T4

參數(shù)屬性

MJD200T4 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為剪切帶(CT);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PWR NPN 5A 25V DPAK

功能描述

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

236.97 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-13 17:05:00

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MJD200T4規(guī)格書詳情

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS

MJD200 NPN

MJD210 PNP

NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications

. . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications.

? Collector–Emitter Sustaining Voltage —VCEO(sus)= 25 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc

? High DC Current Gain — hFE= 70 (Min) @ IC= 500 mAdc

= 45 (Min) @ IC= 2 Adc

= 10 (Min) @ IC= 5 Adc

? Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)

? Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)

? Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)

? Low Collector–Emitter Saturation Voltage —VCE(sat)= 0.3 Vdc (Max) @ IC= 500 mAdc

= 0.75 Vdc (Max) @ IC= 2.0 Adc

? HighCurrent–Gain — Bandwidth Product — fT= 65 MHz (Min) @ IC= 100 mAdc

? Annular Construction for Low Leakage — ICBO= 100 nAdc @ Rated VCB

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MJD200T4

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 50mA,500mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    45 @ 2A,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    65MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PWR NPN 5A 25V DPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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