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MJD122-1

SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT

Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“–1”Suffix) ?LeadFormedVersionAvailablein16mmTapeandReel(“T4”Suffix) ?Sur

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MJD122-1

COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS

DESCRIPTION TheMJD122andMJD127formcomplementaryNPN-PNPpair.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES ■LOWBASE-DRIVEREQUIREMENTS ■INTEGRATEDANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTERDIODE ■THROUGHHOLET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

MJD122-1

COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS

DESCRIPTION TheMJD122andMJD127formcomplementaryNPN-PNPpair.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES ■LOWBASE-DRIVEREQUIREMENTS ■INTEGRATEDANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTERDIODE ■THROUGHHOLET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

MJD122-1

Package:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO251

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

MJD122-1G

Package:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BD122-1

LowCapacitanceandInsertionLoss

BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd.

檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司

DC-122-1

1WATTSINGLEOUTPUTDC-DCCONVERTERS

INTRONICS

Intronics Power, Inc.

LN122-1

LNseriescommonmodechoke

YHDCBeijing Yaohuadechang Electronic Co., Ltd.

德昌電氣設(shè)備德昌電氣設(shè)備有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MJD122-1

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    4V @ 80mA,8A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 4A,4V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-251(IPAK)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 8A TO251

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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更多MJD122-1供應(yīng)商 更新時間2025-2-5 8:30:00