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MJD112分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MJD112
廠商型號(hào)

MJD112

參數(shù)屬性

MJD112 封裝/外殼為TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

功能描述

Complementary Darlington Power Transistors
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

文件大小

144.73 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-6 11:34:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    MJD112

  • 別名:

    MJD112三極管、MJD112晶體管、MJD112晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Darl

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

  • 最大電流允許值:

    2A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    G-217

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    2

  • wtest:

    20

MJD112規(guī)格書詳情

MJD112屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)。安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MJD112晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MJD112-1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 40mA,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    20μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 2A,3V

  • 頻率 - 躍遷:

    25MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    I-PAK

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON
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原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng) QQ 1304306553 更多詳細(xì)咨詢 庫(kù)存
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