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MJB44H11G

Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount

Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features ?LowCollector?EmitterSaturationVoltage? VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A ?F

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJB44H11G

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·LowCollector-Emittersaturationvoltage ·Pb-freepackageareavailable ·Fastswitchingspeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Generalpurposeamplificationandswitchingsuchas outordriverstagesinapplicati

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

MJB44H11G

Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJB44H11G

Complementary Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJB44H11G

Package:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS NPN 80V 10A D2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MJB44H11G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 400mA,8A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 4A,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    50MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 10A D2PAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
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一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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更多MJB44H11G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-4 10:03:00