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MJ11032 | 50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS High-CurrentComplementarySiliconTransistor ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighDCCurrentGain—hFE=1000(Min)@IC=25Adc hFE=400(Min)@IC=50Adc ?Curvesto100A(Pulsed) ? | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | |
MJ11032 | COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS High?CurrentComplementarySiliconPowerTransistorsareforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. Features ?HighDCCurrentGain?hFE=1000(Min)@IC=25Adc hFE=400(Min)@IC=50Adc ?Curvesto100A | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
MJ11032 | POWER TRANSISTOR(50A,60-120V,300W) COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ...designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighGainDarlingtonPerformance ?HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=25A hFE=400(Mi | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | |
MJ11032 | NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR(SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DRIVERS) SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERS SOLENOIDANDRELAYDRIVERS | WINGSWing Shing Computer Components 永盛電子永盛電子(香港)有限公司 | WINGS | |
MJ11032 | COMPLEMENTARY DARLINGTON POWER TRANSISTOR FEATURES ?HIGHDCCURRENTGAIN HFE=1000Min@IC=25A HFE=400Min0@IC=50A ?CURVESTO100A(Pulsed) ?DIODEPROTECTIONTORATEDIC ?MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILT-INBASE–EMITTERSHUNTRESISTOR ?JUNCTIONTEMPERATURETO+200°C APPLICATIONS Foruseasoutputde | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | |
MJ11032 | High-Current Complementary Silicon Power Transistors High-CurrentComplementarySiliconPowerTransistorsareforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. Features ?HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@Ic=25Adc hFE=400(Min)@Ic=50Adc ?Curvesto100A(P | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
MJ11032 | Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage :V(BR)CEO=120V(Min.) ?HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min.)@IC=25A :hFE=400(Min.)@IC=50A ?ComplementtothePNPMJ11033 APPLICATIONS ?Designedforuseasoutputdevicesincomplementary generalpurposeamplifierappl | ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司 | ZSELEC | |
MJ11032 | isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage :V(BR)CEO=120V(Min.) ?HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min.)@IC=25A :hFE=400(Min.)@IC=50A ?ComplementtoTypeMJ11033 APPLICATIONS ?Designedforuseasoutputdevicesincomplementary generalpurposeamplifierapplica | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
MJ11032 | High-Current Complementary Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
MJ11032 | High??urrent Complementary Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
MJ11032 | 包裝：散裝 封裝/外殼：TO-204AE 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN DARL 120V 50A TO204 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
High??urrent Complementary Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
High-Current Complementary Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-204AE 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN DARL 120V 50A TO204 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
120V
- 最大電流允許值：
50A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號(hào)：
- 最大耗散功率：
300W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
E-44
- vtest：
120
- htest：
999900
- atest：
50
- wtest：
300
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MJ11032
- 制造商：
onsemi
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 晶體管類(lèi)型：
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
3.5V @ 500mA，50A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
2mA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 25A，5V
- 工作溫度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-204AE
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-204（TO-3）
- 描述：
TRANS NPN DARL 120V 50A TO204
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
M |
24+ |
TO 3 |
157341 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
23+ |
1688 |
房間現(xiàn)貨庫(kù)存:QQ:373621633 |
詢(xún)價(jià) | |||
ON/安森美 |
23+ |
TO-3 |
66800 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力！ |
詢(xún)價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO-3 |
5500 |
現(xiàn)貨,全新原裝 |
詢(xún)價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO-3 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
MOT |
24+ |
TO-3 |
10000 |
詢(xún)價(jià) | |||
ON |
24+ |
TO-3 |
2300 |
十年品牌!原裝現(xiàn)貨!!! |
詢(xún)價(jià) | ||
MOT/ON |
16+ |
TO-3 |
250 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
MOT |
23+ |
CAN |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢(xún)價(jià) | ||
ON |
16+ |
TO-3P |
10000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) |
