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MJ11013中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MJ11013
廠商型號

MJ11013

功能描述

DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

文件大小

157.15 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載

更新時間

2024-10-27 22:30:00

晶體管資料

  • 型號:

    MJ11013

  • 別名:

    MJ11013三極管、MJ11013晶體管、MJ11013晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    90V

  • 最大電流允許值:

    30A

  • 最大工作頻率:

    >4MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BDX68B...C,

  • 最大耗散功率:

    200W

  • 放大倍數(shù):

    β>1000

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    90

  • htest:

    4000100

  • atest:

    30

  • wtest:

    200

MJ11013規(guī)格書詳情

High-Current Complementary Silicon Transistors

. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.

? High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC – 20 Adc

? Monolithic Construction with Built–in Base Emitter Shunt Resistor

? Junction Temperature to +200°C

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MJ11013

  • 功能描述:

    達(dá)林頓晶體管 PNP Power

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶體管極性:

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流:

    0.5 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    SOIC-18

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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