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10050	文件：126.42 Kbytes Page：1 Pages	NylonPCBSupports-ImperialSpacing	HeycoHeyco. ?？?/span>	Heyco
10050	文件：769.53 Kbytes Page：3 Pages	InductiveSensor Features ■?6.5mm,smoothbarrel ■Stainlesssteel,1.4404 ■DC2-wire,nom.8.2VDC ■Outputacc.toDINEN60947-5-6(NAMUR) ■Cableconnection ■ATEXcategoryII1G,Exzone0 ■ATEXcategoryII1D,Exzone20 ■SIL2(LowDemandMode)acc.toIEC61508, PLcacc.toISO13849-1withHFT0	TURCKTurck Inc. 圖爾克德國圖爾克集團公司	TURCK
10050BQ	文件：143.45 Kbytes Page：2 Pages	5.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
10050-C	文件：184.9 Kbytes Page：7 Pages	10050ExtremeCompatibleTransceiverSFP10/100/1000Base-T(RJ45,Copper,100m) Features ATGBICS10050SFPoperatesonstandardCategory5unshieldedtwisted-paircoppercablingoflinklengthsupto100m. Extreme1000BASE-TSFPmodulessupport10/100/1000autonegotiationandautoMDI/MDIX. OurproductmeetsthespecificationofExtreme10050=andweproudlyofferacompa	ATGBICS ATGBICS by Approved Technology	ATGBICS
10050LVR	文件：60.86 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitching	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT10050JLC	文件：39.52 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.LowergatechargeisachievedbyoptimizingthemanufacturingprocesstominimizeCissandCrss.LowergatechargecoupledwithPowerMOSVITMoptimizedgatelayout,deliversexceptionally	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT10050JN	文件：60.09 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT10050JVFR	文件：68.41 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT10050JVFR	文件：70.95 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FastRecoveryBody	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT10050JVR	文件：67.95 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitching	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT10050LLC	文件：68.49 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltage PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.LowergatechargeisachievedbyoptimizingthemanufacturingprocesstominimizeCissandCrss.LowergatechargecoupledwithPowerMOSVITMoptimizedgatelayout,deliversexceptionally	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT10050LVFR	文件：67.62 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT10050LVFR	文件：108.31 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?IdenticalSpecific	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT10050LVFR	文件：327.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
APT10050LVR	文件：326.39 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·MotorDrive,DC-DCConverter,PowerSwitch andSolenoidDrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
APT10050LVR	文件：60.86 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitching	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
DEM10050C	文件：107.75 Kbytes Page：1 Pages	10.3x10.3mmMax.square,5.0mmMax.height.	Toko TOKO, Inc	Toko
DVCR10050-LF	文件：271.86 Kbytes Page：3 Pages	ELECTROLYTIC-85?C	DUBILIER dubilier	DUBILIER
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DVJL10050-LF	文件：262.3 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSMD-105CLOWIMPEDANCEDVJL	DUBILIER dubilier	DUBILIER

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晶體管資料

型號：
MJ10050
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性質(zhì)：
開關(guān)管（S）_功率放大（L）
封裝形式：
極限工作電壓：
900V
最大電流允許值：
750A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
可代換的型號：
最大耗散功率：
500W
放大倍數(shù)：
β>40
圖片代號：
NO
vtest：
900
htest：
999900
atest：
750
wtest：
500

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多MJ10050供應(yīng)商更新時間2025-1-13 16:00:00

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