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MI-SH-148DF	文件：375.83 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Relay	GOODSKYGOOD SKY ELECTRIC CO., LTD. 國(guó)興繼電器國(guó)興繼電器(深圳)有限公司	GOODSKY
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MJD148	文件：69.4 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconPowerTransistor NPNSiliconPowerTransistor DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features ?HighGain?50Min@IC=2.0A ?LowSaturationVoltage?0.5V@IC=2.0A ?HighCurrentGain?BandwidthProduct?fT=3.0MHzMin@	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD148	文件：115.31 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD148	文件：244.77 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ?DCCurrentGain-:hFE=85(Min)@IC=0.5A ?LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=0.5V(Max.)@IC=2A ?DPAKforSurfaceMountApplications ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Designedforuseingeneral	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJD148	文件：91.63 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD148	文件：596.78 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPLASTICPOWERTRANSISTORS NPNSILICONPLASTICPOWERTRANSISTORS DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MJD148	文件：220.69 Kbytes Page：10 Pages	45V,4ANPNhighpowerbipolartransistor 1.Generaldescription NPNhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Highthermalpowerdissipationcapability ?Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration ?Electricallysimilartopopul	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
MJD148	文件：279.09 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=45V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.5V(Max)@IC=2A APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposeampliferandlow Speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJD148-Q	文件：222.91 Kbytes Page：10 Pages	45V,4ANPNhighpowerbipolartransistor Featuresandbenefits ?Highthermalpowerdissipationcapability ?Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration ?ElectricallysimilartopopularMJD148series ?Lowcollectoremittersaturationvoltage ?Fastswitchingspeeds ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuse	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
MJD148-QJ	文件：222.91 Kbytes Page：10 Pages	45V,4ANPNhighpowerbipolartransistor Featuresandbenefits ?Highthermalpowerdissipationcapability ?Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration ?ElectricallysimilartopopularMJD148series ?Lowcollectoremittersaturationvoltage ?Fastswitchingspeeds ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuse	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
MRF148	文件：169.68 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSLINEARRFPOWERFET	MACOM Tyco Electronics	MACOM
MRF148	文件：144.93 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSLINEARRFPOWERFET TheRFMOSFETLineRFPowerField-EffectTransistorN-ChannelEnhancement-Mode Designedforpoweramplifierapplicationsinindustrial,commercialandamateurradioequipmentto175MHz. ?SuperiorHighOrderIMD ?Specified50Volts,30MHzCharacteristics OutputPower=30Watts Pow	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola

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