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MGS802	文件：710.81 Kbytes Page：4 Pages	GaAs Schottky Diodes	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MGS802	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：模具類別：分立半導體產(chǎn)品二極管 - 射頻描述：SCHOTTKY DIODE,GAAS-CHIP,GC210	MACOM Technology Solutions MACOM Technology Solutions	MACOM Technology Solutions
MGS802A	文件：710.81 Kbytes Page：4 Pages	GaAs Schottky Diodes	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MJ802	文件：277.89 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYHIGHPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJ802(NPN)andMJ4502(PNP)aresiliconepitaxial-basecomplementarypowertransistorsinJedecTO-3metalcase,intendedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
MJ802	文件：111.05 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(30A,100V,200W) 30AMPEREPOWERTRANSISTORNPNSILICON100VOLTS200WATTS	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導體股份有限公司	MOSPEC
MJ802	文件：136.79 Kbytes Page：4 Pages	30AMPEREPOWERTRANSISTORNPNSILICON100VOLTS200WATTS High?PowerNPNSiliconTransistor ???foruseasanoutputdeviceincomplementaryaudioamplifiersto100?Wattsmusicpowerperchannel. Features ?HighDCCurrentGain?hFE=25?100@IC=7.5A ?ExcellentSafeOperatingArea ?ComplementtothePNPMJ4502	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MJ802	文件：136.79 Kbytes Page：4 Pages	High-PowerNPNSiliconTransistor High?PowerNPNSiliconTransistor Thistransistorisforuseasanoutputdeviceincomplementaryaudioamplifiersto100?Wattsmusicpowerperchannel. Features ?HighDCCurrentGain?hFE=25?100@IC=7.5A ?ExcellentSafeOperatingArea ?ComplementtothePNPMJ4502 ?Pb?FreePackag	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MJ802	文件：55.77 Kbytes Page：1 Pages	NPNPLANARSILICONTRANSISTOR(AUDIOPOWERAMPLIFIERDCTODCCONVERTER) AUDIOPOWERAMPLIFIERDCTODCCONVERTER ?HighCurrentCapability ?HighPowerDissipation ?ComplementarytoMJ4502	WINGSWing Shing Computer Components 永盛電子永盛電子(香港)有限公司	WINGS
MJ802	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistors PowerTransistors TO-3Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體	Central
MJ802	文件：117.15 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain- :hFE=25-100@IC=7.5A ?ExcellentSafeOperatingArea ?ComplementtoTypeMJ4502 APPLICATIONS ?Designedforuseasanoutputdeviceincomplementaryaudioamplifiersto100-Wattsmusicpowerperchannel.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MJ802	文件：110.6 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ?WithTO-3package ?ComplementtotypeMJ4502 ?Excellentsafeoperatingarea APPLICATIONS ?Foruseasanoutputdeviceincomplementaryaudioamplifiersto100-Wattsmusicpowerperchannel	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJ802	文件：76.07 Kbytes Page：4 Pages	High??owerNPNSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MJ802	文件：42.92 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNPOWERTRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
MJ802	文件：76.82 Kbytes Page：2 Pages	High-PowerNPNSiliconTransistor High-PowerNPNSiliconTransistor Thistransistorisforuseasanoutputdeviceincomplementaryaudioamplifiersto100-Wattsmusicpowerperchannel. Features ?HighDCCurrentGain-hFE=25-100IC=7.5A ?ExcellentSafeOperatingArea ?ComplementtothePNPMJ4502	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MJ802	文件：112.18 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJ802G	文件：76.07 Kbytes Page：4 Pages	High??owerNPNSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MJE802	文件：51.86 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuilt-inBase-EmitterResistors MonolithicConstructionWithBuilt-inBaseEmitterResistors ??????? ?HighDCCurrentGain:hFE=750(Min.)@IC=1.5and2.0ADC ?ComplementtoMJE700/701/702/703	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
MJE802	文件：64.48 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJE802andMJE803aresiliconepitaxial-baseNPNtransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationandaremountedinJedecSOT-32plasticpackage.Theyareintendedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
MJE802	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARY Thesedevicesaredesignedforgeneral?purposeamplifierandlow?speedswitchingapplications. Features ?HighDCCurrentGain?hFE =2000(Typ)@IC =2.0Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt?inBase?EmitterResistorsto LimitLeakage?Multiplication ?ChoiceofPackages?M	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MJE802	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	4.0AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON40WATT50WATT ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain— hFE=2000(Typ)@IC=2.0Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt–inBase–EmitterResistorstoLimitLeakage Multiplication ?ChoiceofPackages— MJE700andMJE800series	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
MGS802
制造商：
MACOM Technology Solutions
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 射頻
系列：
MGS8xx
包裝：
托盤
二極管類型：
肖特基 - 反向平行
電壓 - 峰值反向（最大值）：
5V（最?。?/p>
不同?Vr、F 時電容：
0.1pF @ 0V，1MHz
不同?If、F 時電阻：
7 歐姆 @ 5mA，1MHz
工作溫度：
-65°C ~ 150°C
封裝/外殼：
模具
供應商器件封裝：
芯片
描述：
SCHOTTKY DIODE,GAAS-CHIP,GC210

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導體（深圳）有限公司	MGS802	MACOM Technology Solutions	24+	模具	30000	二極管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
北京逸博微科技有限公司	MGS802				10	優(yōu)勢庫存,全新原裝	詢價
深圳市正納電子有限公司	MGS802	MACOM	/ROHS.original	NA	10501	射頻元件二極管-正納電子/ 原材料及元器件	詢價
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	MGS802		24+	N/A	69000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價
貿澤芯城（深圳）電子科技有限公司	MGS87C1202		23+		13000	原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
浙江永芯科技有限公司	MGS8M	YANGJIE	24+	TO-277	50000	原廠直銷全新原裝正品現(xiàn)貨歡迎選購	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	MGS901	M/A-COM	23+	SMD	9920	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	MGS901	MACOM Technology Solutions	24+	GB110	9350	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	MGS901	N/A	22+	N/A	5800	原裝正品物料	詢價
兆億微波(北京)科技有限公司	MGS901	Macom			500		詢價

更多MGS802供應商更新時間2024-12-29 10:12:00

產(chǎn)品屬性

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