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MGFL45V1920

1.9-2.0GHzBAND32WINTERNALLYMATCHDGaAsFET

DESCRIPTION TheMGFL45V1920isaninternallyimpedance-matchedGaAspowerFETespeciallydesignedforusein1.9-2.0GHzbandamplifiers.Thehermeticallysealedmetal-ceramicpackageguaranteeshighreliability. FEATURES(TARGET) ClassAoperation Internallymatchedto50(ohm)system

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

MGFL45V1920A

1.9-2.0GHzBAND/32W

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

MGFL45V1920A

1.9-2.0GHzBAND32WINTERNALLYMATCHEDGaAsFET

DESCRIPTION TheMGFL45V1920Aisaninternallyimpedance-matchedGaAspowerFETespeciallydesignedforusein1.9-2.0GHzbandamplifiers.Thehermeticallysealedmetal-ceramicpackageguaranteeshighreliability. FEATURES ClassAoperation Internallymatchedto50(ohm)system Hi

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

MGFL45V1920A

1.9-2.0GHzBAND32WINTERNALLYMATCHDGaAsFET

DESCRIPTION TheMGFL45V1920Aisaninternallyimpedance-matchedGaAspowerFETespeciallydesignedforusein1.9-2.0GHzbandamplifiers.Thehermeticallysealedmetal-ceramicpackageguaranteeshighreliability. FEATURES ClassAoperation Internallymatchedto50(ohm)system Hi

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更多MGFL45V1920D供應(yīng)商 更新時間2025-1-29 14:08:00