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MGF4919G中文資料三菱電機(jī)數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MGF4919G
廠商型號

MGF4919G

功能描述

SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT

文件大小

19.34 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Mitsubishi Electric Semiconductor
企業(yè)簡稱

Mitsubishi三菱電機(jī)

中文名稱

三菱電機(jī)株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-28 23:00:00

MGF4919G規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The MGF491xG series super-low-noise HEMT(High Electron Mobility Transistor) is designed for use in L to Ku band amplifiers.

The hermetically sealed metal-ceramic package assures minimumu parasitic losses, and has a configuration suitable for microstrip circuits.

The MGF491*G series is mounted in the super 12 tape.

FEATURES

? Low noise figure @f=12GHz

MGF4916G:NFmin.=0.80dB(MAX.)

MGF4919G:NFmin.=0.50dB(MAX.)

? High associated gain @f=12GHz

Gs=12.0dB(MIN.)

APPLICATION

L to Ku band low noise amplifiers.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MGF4919G

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全稱:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT

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