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ME2101series	文件：199.377 Kbytes Page：11 Pages		MicrOneNajing Micro One Electronics Inc. 南京微盟南京微盟電子有限公司 PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司	MicrOne
MH2101WZ	文件：234.6 Kbytes Page：3 Pages	650V30AFastRecoveryDiode lFeatures 1)LightPunchThroughType 2)LowForwardVoltage 3)VeryFast&SoftRecovery 4)LowRecoveryLoss lApplication FreeWheeling	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
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MJE2101	文件：143.77 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICMEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS PLASTICMEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS Designedforuseindriverandoutputstagesincomplementaryaudioamplifierapplications. ?HighDCCurrentGain- hFE=750(Win)@IC=30and40Adc ?TrueThreeLeadMonolithicConstruction—Emitter-BaseResistors toPreventL	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MM2101	文件：252.1 Kbytes Page：3 Pages	1024-bit(256x4)staticMOSRAMwithseparateI/O	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
MMBV2101	文件：61.65 Kbytes Page：3 Pages	SiliconTuningDiode ThesedevicesaredesignedinthepopularPLASTICPACKAGEforhighvolumerequirementsofFMRadioandTVtuningandAFC,generalfrequencycontrolandtuningapplications.Theyprovidesolid–statereliabilityinreplacementofmechanicaltuningmethods.AlsoavailableinSurfaceMountPackageupto	LRCLeshan Radio Company 樂山無線電樂山無線電股份有限公司	LRC

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