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MDS70分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MDS70
廠商型號

MDS70
參數(shù)屬性

MDS70 封裝/外殼為55CX；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55CX
功能描述

70 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 1030 - 1090MHz
RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55CX
封裝外殼

55CX
文件大小

137.14 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi【美高森美】

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-21 18:54:00
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MDS70規(guī)格書詳情

MDS70屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由美高森美公司制造生產(chǎn)的MDS70晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    MDS70

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    65V

  • 頻率 - 躍遷：

    1.03GHz ~ 1.09GHz

  • 增益：

    10.3dB ~ 11.65dB

  • 功率 - 最大值：

    225W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 500mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    5A

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    55CX

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    55CX

  • 描述：

    RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55CX

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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