MDS110分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MDS110 |
| 參數(shù)屬性 | MDS110 封裝/外殼為55TU-1；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1 |
| 功能描述 | SMD Schottky Bridge Rectifier |
| 封裝外殼 | 55TU-1 |
| 文件大小 |
57.55 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Formosa MS |
| 企業(yè)簡稱 |
FORMOSA【美麗微半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 美麗微半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-13 22:30:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MDS1100
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
65V
- 頻率 - 躍遷：
1.03GHz
- 增益：
8.9dB
- 功率 - 最大值：
8750W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 5A，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
100A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
55TU-1
- 供應(yīng)商器件封裝：
55TU-1
- 描述：
RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MIT |
2020+ |
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80000 |
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