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MCZ33285EF

Dual High-Side TMOS Driver

DualHigh-SideTMOSDriver Asingleinputcontrolsthe33285indrivingtwoexternalhigh-sideN-ChannelTMOSpowerFETscontrollingincandescentorinductiveloads.PulseWidthModulated(PWM)inputcontrolto1.0kHzispossible.The33285containsacommoninternalchargepumpusedtoenhance

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MCZ33285EF

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動器 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

NXP USA Inc.

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MCZ33285EFR2

Dual High-Side TMOS Driver

DualHigh-SideTMOSDriver Asingleinputcontrolsthe33285indrivingtwoexternalhigh-sideN-ChannelTMOSpowerFETscontrollingincandescentorinductiveloads.PulseWidthModulated(PWM)inputcontrolto1.0kHzispossible.The33285containsacommoninternalchargepumpusedtoenhance

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飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MCZ33285EFR2

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動器 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

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33285

DualHigh-SideTMOSDriver

DualHigh-SideTMOSDriver Asingleinputcontrolsthe33285indrivingtwoexternalhigh-sideN-ChannelTMOSpowerFETscontrollingincandescentorinductiveloads.PulseWidthModulated(PWM)inputcontrolto1.0kHzispossible.The33285containsacommoninternalchargepumpusedtoenhance

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飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MC33285

AutomotiveDualHighSideTMOSDriver

DualHigh-SideTMOSDriver Asingleinputcontrolsthe33285indrivingtwoexternalhigh-sideN-ChannelTMOSpowerFETscontrollingincandescentorinductiveloads.PulseWidthModulated(PWM)inputcontrolto1.0kHzispossible.The33285containsacommoninternalchargepumpusedtoenhance

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飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MC33285D

DualHigh-SideTMOSDriver

DualHigh-SideTMOSDriver Asingleinputcontrolsthe33285indrivingtwoexternalhigh-sideN-ChannelTMOSpowerFETscontrollingincandescentorinductiveloads.PulseWidthModulated(PWM)inputcontrolto1.0kHzispossible.The33285containsacommoninternalchargepumpusedtoenhance

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MC33285D

AutomotiveDualHighSideTMOSDriver

DualHigh-SideTMOSDriver Asingleinputcontrolsthe33285indrivingtwoexternalhigh-sideN-ChannelTMOSpowerFETscontrollingincandescentorinductiveloads.PulseWidthModulated(PWM)inputcontrolto1.0kHzispossible.The33285containsacommoninternalchargepumpusedtoenhance

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飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MCZ33285EF

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 驅(qū)動配置：

    高端

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    7V ~ 40V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.7V，1.7V

  • 輸入類型：

    非反相

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MCZ33285EF供應(yīng)商 更新時間2024-12-24 13:30:00

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