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MCU50N06	文件：437.95 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
ME50N06	文件：979.73 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MS50N06	文件：277.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
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MTB50N06EL	文件：97.83 Kbytes Page：4 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL50AMPERES60VOLTS TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorsD2PAKforSurfaceMountLogicLevelTMOS(L2TMOS) N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighspeed,lowlosspowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers.This	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTB50N06EL	文件：333.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.028Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTB50N06V	文件：332.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.028Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTB50N06V	文件：289.72 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTS TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.JustaswithourTMOSE–FETdesigns,TMOSVisdesignedtowithstandhighenergy	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTB50N06V	文件：213.32 Kbytes Page：7 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MTB50N06VL	文件：249.58 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTS TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.JustaswithourTMOSE–FETdesigns,TMOSVisdesignedtowithstandhighenergy	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTB50N06VL	文件：264.56 Kbytes Page：10 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MTP50N06	文件：179.52 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50an	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP50N06	文件：195.75 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.032OHM TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.032OHM N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP50N06	文件：232.47 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET50AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedfo	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP50N06E	文件：295.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTP50N06EL	文件：232.47 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET50AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedfo	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP50N06EL	文件：979.57 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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MTP50N06V	文件：179.52 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.028OHM N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50an	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP50N06V	文件：979.45 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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