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MTH20P10	文件：293.19 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTM20P10	文件：155.47 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTM20P10	文件：285.57 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTM20P10	文件：87.63 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
NCE20P10J	文件：259.45 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE20P10Jusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltages.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitching applicationandawidevarietyofotherapplications. GeneralFeatures ●VDS=-20V,ID=-10A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
PAL20P10	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
PAL20P10A	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
PAL20P10AC	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
PAL20P10AJ	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
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