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MCR01MZPJ620中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MCR01MZPJ620
廠商型號

MCR01MZPJ620

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

文件大小

176.65 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-30 14:10:00

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MCR01MZPJ620規(guī)格書詳情

FEATURES

? The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz

? Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz

? SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz

? This product is improvement of ESD of NESG3032M14.

? 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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22+
SMD
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原裝現(xiàn)貨庫存.價(jià)格優(yōu)勢
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原裝現(xiàn)貨17377264928微信同號
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