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MC10EP08DR2G集成電路（IC）的門反相器-多功能可配置規(guī)格書PDF中文資料

MC10EP08DR2G
廠商型號

MC10EP08DR2G
參數(shù)屬性

MC10EP08DR2G 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的門反相器-多功能可配置；產品描述：IC GATE XOR/XNOR ECL 2INP 8-SOIC
功能描述

ECL 2-Input Differential XOR/XNOR
IC GATE XOR/XNOR ECL 2INP 8-SOIC
封裝外殼

8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
文件大小

178.11 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數(shù)據手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-28 23:00:00

MC10EP08DR2G規(guī)格書詳情

MC10EP08DR2G屬于集成電路（IC）的門反相器-多功能可配置。由安森美半導體公司制造生產的MC10EP08DR2G門和反相器 - 多功能，可配置可配置邏輯柵極系列產品能以與標準邏輯柵極類似的方式，對單個邏輯信號執(zhí)行基本邏輯運算，但并非局限于一個特定功能（例如 AND、NAND 等）。它們通常在內部使用少量邏輯門來實現(xiàn)，經過選擇和互連后，以便通過選擇操作數(shù)據所應用的輸入以及任何未使用的輸入在驅動后的邏輯狀態(tài)，來配置所實現(xiàn)的整體邏輯功能。

產品屬性

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  • 產品編號：

    MC10EP08DR2G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    集成電路（IC） > 門和反相器 - 多功能，可配置

  • 系列：

    10EP

  • 包裝：

    管件

  • 邏輯類型：

    異或/異或非門

  • 輸入數(shù)：

    2 輸入（1，1）

  • 施密特觸發(fā)器輸入：

    無

  • 輸出類型：

    差分

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE XOR/XNOR ECL 2INP 8-SOIC

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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