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MBRD1035C	文件：1.24189 Mbytes Page：3 Pages	Schottky Diodes	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
MBRD1035CTL	文件：158.19 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE??Schottky Rectifier D2PAK Power Surface Mount Package SWITCHMODESchottkyPowerRectifier DPAKPowerSurfaceMountPackage ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–to–siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvol	Motorola Motorola, Inc	Motorola
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MBRD1035CTL_V01	文件：231.35 Kbytes Page：7 Pages	Schottky Power Rectifier, Switch Mode, 10 A, 35 V TheMBRD1035CTLemploystheSchottkyBarrierprincipleina largeareametal?to?siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometry featuresepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetal overlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequency switchingpowersupplies,freewheelin	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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MBRD1035CTL-T	文件：63.87 Kbytes Page：3 Pages	10A SURFACE MOUNT DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features ?GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ?LowPowerLoss,HighEfficiency ?HighSurgeCapability ?VeryLowForwardVoltageDrop ?ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,OR’ing,andPolarityProtection Applications ?PlasticMaterial:ULFlamma	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MBRD1035CTLT4	文件：104.04 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE Schottky Power Rectifier Switch-modeSchottkyPowerRectifier DPAKPowerSurfaceMountPackage TheMBRD1035CTLemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal?to?siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedfo	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MBRD1035CTLT4G	文件：104.04 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE Schottky Power Rectifier Switch-modeSchottkyPowerRectifier DPAKPowerSurfaceMountPackage TheMBRD1035CTLemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal?to?siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedfo	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MBRD1035CTLT4G	文件：120.16 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE Schottky Power Rectifier Switch-modeSchottkyPowerRectifier DPAKPowerSurfaceMountPackage TheMBRD1035CTLemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal?to?siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedfo	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MBRD1035CTLT4G	文件：231.35 Kbytes Page：7 Pages	Schottky Power Rectifier, Switch Mode, 10 A, 35 V TheMBRD1035CTLemploystheSchottkyBarrierprincipleina largeareametal?to?siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometry featuresepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetal overlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequency switchingpowersupplies,freewheelin	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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MBRD1035CTL	文件：74.18 Kbytes Page：6 Pages	Switch-mode Schottky Power Rectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MBRD1035CTL_10	文件：117.22 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE Schottky Power Rectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
MBRD1035C
功能描述：
肖特基二極管與整流器 10A 35V Low Vf
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
產(chǎn)品：
Schottky Diodes
峰值反向電壓：
2 V
正向連續(xù)電流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向電壓下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作溫度范圍：
- 65 C to + 150 C
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
SOT-143
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	MBRD1035C	SOT-252	23+	10	13000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司	MBRD1035C	ON/安森美	2022+	TO-252	30000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),絕對(duì)原裝假一罰十	詢價(jià)
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