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MBR3501	文件：35.03 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES ●Surgeoverload-240~500amperespeak ●Lowforwardvoltagedrop ●Mountingposition:Any ●Electricallyisolatedbase-2000Volts ●Solderable0.25FASTONterminals ●MaterialsusedcarriesU/Lrecognition	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
MBR3501	文件：92.39 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES ●Surgeoverload-240~500amperespeak ●Lowforwardvoltagedrop ●Mountingposition:Any ●Electricallyisolatedbase-2000Volts ●Solderable0.25FASTONterminals ●MaterialsusedcarriesU/Lrecognition	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
MBR3501	文件：403 Kbytes Page：3 Pages	SiliconBridgeRectifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
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MD3501	文件：30.16 Kbytes Page：2 Pages	35AMOTOROLATYPEPRESS-FITDIODE Features ●DiffusedJunction ●LowLeakage ●LowCost ●HighSurgeCurrentCapability ●TypicalIRlessthan5.0μA	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE
MD3501	文件：32.25 Kbytes Page：2 Pages	35AMOTOROLATYPEPRESS-FITDIODE	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE
MD3501G	文件：40.7 Kbytes Page：2 Pages	35AGLASSPASSIVATEDMOTOROLATYPEPRESS-FITDIODE GlassPassivatedDieConstruction LowLeakage LowCost HighSurgeCurrentCapability TypicalIRlessthan5.0μA	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE
MDA3501	文件：92.21 Kbytes Page：1 Pages	SINGLE-PHASEFULL-WAVEBRIDGE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI

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