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MBR350

SchottkyRectifier,3A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBR350

3.0A50VSchottkydiode

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行

MBR350

3ASCHOTTKYRECTIFIER

3ASCHOTTKYRECTIFIER AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.

DIGITRON

Digitron Semiconductors

MBR350

3.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE

Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司

MBR350

AxialLeadRectifiers

ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlap contact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow?voltage, high?frequencyinverters,freewhee

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MBR350F

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERREVERSEVOLTAGE20VTO200VFORWARDCURRENT3.0A

DESCRIPTION The MBR320F~MBR3200Fareavailablein SOD123FLPackage FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V 0 ?Lowpowerloss,highefficiency ?Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters, freewheeling,andpolarityprotecti

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

MBR350RL

AxialLeadRectifiers

ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow?voltage,high?frequencyinverters,freewheeling

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MBR350RL

AxialLeadRectifiers

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MBR350RL

AxialLeadRectifiers

ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlap contact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow?voltage, high?frequencyinverters,freewhee

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MBR350RLG

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MAX350EAP-T

  • 功能描述：

    多路器開關(guān) IC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 通道數(shù)量：

    1

  • 開關(guān)數(shù)量：

    4

  • 開啟電阻（最大值）：

    7 Ohms

  • 傳播延遲時(shí)間：

    0.25 ns

  • 工作電源電壓：

    2.3 V to 3.6 V

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    UQFN-16

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多MAX350EAP-T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-29 15:58:00

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