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MAX15012DASA+

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述：IC HALF-BRIDGE MOSFET DVR 8-SOIC

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

MAX15012DASA+T

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

MJ15012

10AMPERECOMPLEMENTARYPOWERTRANSISTORS250VOLTS200WATTS

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MJ15012

ComplementarySiliconPowerTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MJ15012

ComplementarySiliconPowerTransistors

MJ15011(NPN, MJ15012(PNP) 10AMPERECOMPLEMENTARYPOWERTRANSISTORS250VOLTS200WATTS TheMJ15011andMJ15012arePowerBasepowertransistorsdesignedforhigh?poweraudio,diskheadpositioners,andotherlinearapplications.Thesedevicescanalsobeusedinpowerswitchingcircui

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJ15012

SiliconPNPPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJ15012G

ComplementarySiliconPowerTransistors

MJ15011(NPN, MJ15012(PNP) 10AMPERECOMPLEMENTARYPOWERTRANSISTORS250VOLTS200WATTS TheMJ15011andMJ15012arePowerBasepowertransistorsdesignedforhigh?poweraudio,diskheadpositioners,andotherlinearapplications.Thesedevicescanalsobeusedinpowerswitchingcircui

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTP15012

Three-PhaseBridgeRectifier

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司

MTP15012D

Three-PhaseBridgeRectifier

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司

MTP15012I

GlassPassivatedThree-PhaseBridgeRectifier

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MAX15012DASA+

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類型：

    獨(dú)立式

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    8V ~ 12.6V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    2A，2A

  • 輸入類型：

    反相，非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    65ns，65ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC-EP

  • 描述：

    IC HALF-BRIDGE MOSFET DVR 8-SOIC

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更多MAX15012DASA+供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-13 16:12:00

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