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M470T6554CZ3-CCC中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

M470T6554CZ3-CCC
廠商型號

M470T6554CZ3-CCC

功能描述

DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC

文件大小

328.84 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-26 17:38:00

M470T6554CZ3-CCC規(guī)格書詳情

Features

? Performance range

? JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply

? VDDQ = 1.8V ± 0.1V

? 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin

? 4 Banks

? Posted CAS

? Programmable CAS Latency: 3, 4, 5

? Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3 and 4

? Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1

? Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential)

? Programmable Sequential / Interleave Burst Mode

? Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data-strobe is an optional feature)

? Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment

? On Die Termination with selectable values(50/75/150 ohms or disable)

? PASR(Partial Array Self Refresh)

? Average Refresh Period 7.8us at lower than a TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE < 95 °C

- support High Temperature Self-Refresh rate enable feature

? Package: 60ball FBGA - 64Mx8 , 84ball FBGA - 32Mx16

? All of Lead-free products are compliant for RoHS

產品屬性

  • 型號:

    M470T6554CZ3-CCC

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
SAMSUNG
22+
252
原裝現(xiàn)貨,假一罰十
詢價
SAMSUNG/三星
BGA
98900
原廠集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-
詢價
OKI
24+
2300
詢價
SMART
三年內
1983
只做原裝正品
詢價
N/A
2021+
SMD
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
詢價
SMART
0644
DDR2SO-DIMM/512MBDDR2SO/
238
原裝香港現(xiàn)貨真實庫存。低價
詢價
SAMSUNG/三星
24+
BGA
6880
只做原裝,公司現(xiàn)貨庫存
詢價
SAMSUNG/三星
21+
BGA
5000
原裝現(xiàn)貨/假一賠十/支持第三方檢驗
詢價
SAMSUNG/三星
23+
TSOP
7935
一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、
詢價
SAMSUNG/三星
23+
BGA
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價