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M470T3354CZ0-E6中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

M470T3354CZ0-E6
廠商型號

M470T3354CZ0-E6

功能描述

DDR2 Unbuffered SODIMM

文件大小

270.33 Kbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-10 13:58:00

M470T3354CZ0-E6規(guī)格書詳情

Features

? Performance range

? JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply

? VDDQ = 1.8V ± 0.1V

? 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin

? 4 Banks

? Posted CAS

? Programmable CAS Latency: 3, 4, 5

? Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3 and 4

? Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1

? Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential)

? Programmable Sequential / Interleave Burst Mode

? Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data-strobe is an optional feature)

? Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment

? On Die Termination with selectable values(50/75/150 ohms or disable)

? PASR(Partial Array Self Refresh)

? Average Refresh Period 7.8us at lower than a TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE < 95 °C

- support High Temperature Self-Refresh rate enable feature

? Package: 60ball FBGA - 64Mx8 , 84ball FBGA - 32Mx16

? All of Lead-free products are compliant for RoHS

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    M470T3354CZ0-E6

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    DDR2 Unbuffered SODIMM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
SAMSUNG
22+
252
原裝現(xiàn)貨,假一罰十
詢價
SAMSUNG/三星
SODIMM
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
詢價
SMART
0644
DDR1SO-DIMM/256MBDDR1SO/
239
原裝香港現(xiàn)貨真實(shí)庫存。低價
詢價
SAMSUNG/三星
N/A
90000
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價
SAMSUNG/三星
21+
NA
5000
原裝現(xiàn)貨/假一賠十/支持第三方檢驗(yàn)
詢價
SAMSUNG
2023+
SODIMM
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
詢價
SAM
24+
37
詢價
SAMSUNG
24+
原廠封裝
2987
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價
SAMSUNG/三星
22+
23509
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口貨
詢價
SAMSUNG/三星
23+
NA/
75
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價