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M39L0R8090U3ZE6E_集成電路（IC） 存儲器-Micron Technology Inc.

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1+
  • 廠家型號：

    M39L0R8090U3ZE6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    133-VFBGA

  • 包裝：

    托盤

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2025-1-29 8:38:00

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原廠料號：M39L0R8090U3ZE6E品牌：Micron Technology Inc.

資料說明：IC FLSH RAM 256MBIT PAR 133VFBGA

M39L0R8090U3ZE6E是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Micron Technology Inc.生產(chǎn)封裝133-VFBGA的M39L0R8090U3ZE6E存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    m39l0r8090u3ze6e

  • 規(guī)格書：

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  • 資料說明：

    IC FLSH RAM 256MBIT PAR 133VFBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    M39L0R8090U3ZE6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    FLASH，RAM

  • 技術(shù)：

    FLASH - NOR，Mobile LPDDR SDRAM

  • 存儲容量：

    256Mb（16M x 16），512M（32M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    133-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    133-VFBGA（8x8）

  • 描述：

    IC FLSH RAM 256MBIT PAR 133VFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MICRON/美光
22+
NA
3000
支持任何機構(gòu)檢測 只做原裝正品
 詢價
ST
23+
QFN
8650
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!
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ST
19+
QFN
16200
原裝正品,現(xiàn)貨特價
 詢價
ST
1922+
QFN
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只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
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2020+
QFN
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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Micron Technology Inc.
21+
78-TFBGA
5280
進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營
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MICRON/美光
24+
NA
20000
美光專營原裝正品
 詢價
Micron Technology Inc.
24+
133-VFBGA(8x8)
56200
一級代理/放心采購
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MICRON
20+
133-BGA
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ST/意法
21+
QFN
5000
原裝現(xiàn)貨/假一賠十/支持第三方檢驗
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