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4924	文件：1.01103 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel40-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
4924W	文件：1.00461 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel40-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AM4924N	文件：1.46538 Mbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
AM4924N	文件：165.54 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AO4924	文件：162.23 Kbytes Page：8 Pages	AsymmetricDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4924usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDC-DCconverters.AmonolithicallyintegratedSchottkydiodeinparallelwiththe	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AO4924	文件：2.04935 Mbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features N-Channel1 ●VDS(V)=30V ●ID=9A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
AO4924	文件：262.1 Kbytes Page：9 Pages	AsymmetricDualN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO4924usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDC-DCconverters.AmonolithicallyintegratedSchottkydiodeinparallelwiththe	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AO4924	文件：1.048 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET??PowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?NotebookSystemPower ?LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AP4924GM	文件：108.46 Kbytes Page：6 Pages	SimpleDriveRequirement,LowOn-resistance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4924M	文件：77.81 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
BD4924	文件：433.03 Kbytes Page：18 Pages	StandardCMOSVoltageDetectorIC Description ROHM’sBD48□□G/FVEandBD49□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICseries.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,sothattheseriesmaybesel	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
BD4924	文件：507.55 Kbytes Page：18 Pages	StandardCMOSVoltageDetectorIC Description ROHM’sBD48□□G/FVEandBD49□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICseries.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,sothattheseriesmaybesel	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
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BD4924	文件：433.03 Kbytes Page：18 Pages	StandardCMOSVoltageDetectorIC Description ROHM’sBD48□□G/FVEandBD49□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICseries.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,sothattheseriesmaybesel	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
BD4924	文件：269.09 Kbytes Page：10 Pages	StandardCMOSVoltageDetectorIC	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
BD4924	文件：269.09 Kbytes Page：10 Pages	StandardCMOSVoltageDetectorIC	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
BD4924FVE	文件：267.04 Kbytes Page：6 Pages	VoltageDetectorIC	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
BD4924FVE	文件：269.09 Kbytes Page：10 Pages	StandardCMOSVoltageDetectorIC	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
BD4924FVE-TL	文件：433.03 Kbytes Page：18 Pages	Highaccuracydetection,Ultra-lowcurrentconsumption Description ROHM’sBD48□□G/FVEandBD49□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICseries.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,sothattheseriesmaybesel	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM

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