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MBR1100F

1.0A100VSchottkydiode

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行

MBR1100F

SchottkyDiodes

■Features ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highforwardsurgecurrentcapability ●TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

MBR1100F

1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

FEATURES Schottkybarrierchip guardringdieconstructionfortransientprotection Lowforwardloss,highefficiency Highsurgecapability Highcurrentcapabilityandlowforwardvoltagedrop Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplication P

PACELEADERPACELEADER INDUSTRIAL

霈峰霈峰實(shí)業(yè)有限公司

MBR1100F

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERSREVERSEVOLTAGE20TO200VFORWARDCURRENT1.0A

DESCRIPTION Th eMBR120FMBR1200Fareavailablein SOD123FLpackage FEATURES ?Metalsiliconjunction,majoritycarrier conduction ?Forsurfacemountedapplications ?Lowpowerloss,highefficiency ?Highforwardsurgecurrentcapability ?Foruseinlowvoltage,highfre

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

MBR1100G

AxialLeadRectifier

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MBR1100G

AxialLeadRectifier

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MBR1100RL

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER1.0AMPERE100VOLTS

AxialLeadRectifier TheserectifiersemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow?voltage,high?frequency

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MBR1100RL

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更多LTCEC-1100F-VSLASHQ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-2 10:01:00

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