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LS830_TO-71分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
LS830_TO-71 |
| 參數(shù)屬性 | LS830_TO-71 封裝/外殼為TO-71-6 金屬罐；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET；產(chǎn)品描述：ULTRA LOW LEAKAGE, LOW DRIFT, MO |
| 功能描述 | MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTOR |
| 文件大小 |
285.63 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
1 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Micross Components |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
MICROSS |
| 中文名稱 | Micross Components官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-1 23:00:00 |
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更多LS830_TO-71規(guī)格書(shū)詳情
The LS830 is a high-performance monolithic dual JFET featuring extremely low noise, tight offset voltage and low drift over temperature specifications, and is targeted for use in a wide range of precision instrumentation applications. The LS830 features a 5-mV offset and 10-μV/°C drift. The 8 Pin P-DIP and 8 Pin SOIC provide ease of manufacturing, and the symmetrical pinout prevents improper orientation.
FEATURES
ULTRA LOW DRIFT | V GS1‐2 / T| ≤ 5μV/°C TYP.
ULTRA LOW LEAKGE IG = 80fA TYP.
LOW NOISE en = 70nV/√Hz TYP.
LOW CAPACITANCE CISS = 3pF MAX
LS830 Applications:
? Wideband Differential Amps
? High-Speed,Temp-Compensated SingleEnded Input Amps
? High-Speed Comparators
? Impedance Converters and vibrations detectors.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
LS830 TO-71 6L
- 制造商：
Linear Integrated Systems, Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET
- 系列：
LS830
- 包裝：
散裝
- FET 類型：
2 個(gè) N 溝道
- 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：
3pF @ 10V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-71-6 金屬罐
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-71
- 描述：
ULTRA LOW LEAKAGE, LOW DRIFT, MO
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI(亞德諾) |
23+ |
TO716 |
7350 |
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詢價(jià) | ||
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詢價(jià) |
