LP722中文資料Polyfet數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
LP722 |
| 功能描述 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| 文件大小 |
35.73 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Polyfet RF Devices |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Polyfet |
| 中文名稱 | Polyfet RF Devices官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-4-1 10:40:00 |
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LP722規(guī)格書(shū)詳情
General Description
Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.
Polyfet process features low feedback and output capacitances, resulting in high Ft transistors with high input impedance and high efficiency.
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR
35.0 Watts Single Ended
Package Style AP
HIGH EFFICIENCY, LINEAR HIGH GAIN, LOW NOISE ROHS COMPLIANT
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
LP722
- 制造商：
POLYFET
- 制造商全稱：
Polyfet RF Devices
- 功能描述：
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LP |
24+ |
SSOP28 |
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