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LM358DT

Marking:358;Package:SO8;Low-power dual operational amplifiers

Features Frequencycompensationimplementedinternally LargeDCvoltagegain:100dB Widebandwidth(unitygain):1.1MHz(temperaturecompensated) Verylowsupplycurrentperchannelessentiallyindependentofsupplyvoltage Lowinputbiascurrent:20nA(temperaturecompensated) Lowinput

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

LM358DT

Marking:358;Package:SO-8;Low Power Dual Operational Amplifiers

■Internallyfrequencycompensated ■LargeDCvoltagegain:100dB ■Widebandwidth(unitygain):1.1mHz (temperaturecompensated) ■Verylowsupplycurrent/op(500μA)essentially independentofsupplyvoltage ■Lowinputbiascurrent:20nA (temperaturecompensated) ■Lowinputoffsetvolta

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

LM358DT

Low Power Dual Operational Amplifiers

Description Thesecircuitsconsistoftwoindependent,highgain,internallyfrequency-compensatedop-ampswhicharedesignedspecificallytooperatefromasinglepowersupplyoverawiderangeofvoltages.Thelowpowersupplydrainisindependentofthemagnitudeofthepowersupplyvoltage.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

LM358DT

SILICON MONNOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT

Description TheUniversalStandardfamilyLM358/324,LM2904/2902monolithicICsintegratetwoindependentop-ampsandphasecompensationcapacitorsonasinglechip andfeaturehigh-gain,lowpowerconsumption,andanoperatingvoltagerangeof3[V]to32[V](singlepowersupply.) Features

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

LM358DT

Low power dual operational amplifiers

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

LM358DT

Low power dual operational amplifiers

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

LM358DT

SIGNATURE SERIES Operational Amplifiers

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

LM358DT_11

SIGNATURE SERIES Operational Amplifiers

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

LM358E

SingleSupplyDualOperationalAmplifiers

UtilizingthecircuitdesignsperfectedforQuadOperational Amplifiers,thesedualoperationalamplifiersfeaturelowpowerdrain, acommonmodeinputvoltagerangeextendingtoground/VEE,and singlesupplyorsplitsupplyoperation.TheLM358seriesis equivalenttoone?halfofanLM324. T

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

LM358F

BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

LM358F

GroundSenseOperationalAmplifiers

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

LM358FJ

GroundSenseOperationalAmplifiers

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

LM358FV

GroundSenseOperationalAmplifiers

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

LM358FVJ

GroundSenseOperationalAmplifiers

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

LM358FVM

GroundSenseOperationalAmplifiers

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

LM358FVM-TR

GroundSenseOperationalAmplifiers

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

LM358FVT

GroundSenseOperationalAmplifiers

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

LM358GD

DUALOPERATIONALAMPLIFIERS

HTCHTC Korea TAEJIN Technology Co.

泰進韓國泰進技術(shù)股份有限公司

LM358H

LowPowerDualOperationalAmplifiers

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

LM358H

LM158/LM258/LM358/LM2904LowPowerDualOperationalAmplifiers

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    LM358DT

  • 功能描述：

    運算放大器 - 運放 Dual Low Power

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 通道數(shù)量：

    4

  • 共模抑制比（最小值）：

    63 dB

  • 輸入補償電壓：

    1 mV

  • 輸入偏流（最大值）：

    10 pA

  • 工作電源電壓：

    2.7 V to 5.5 V

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    QFN-16

  • 轉(zhuǎn)換速度：

    0.89 V/us

  • 關(guān)閉：

    No

  • 輸出電流：

    55 mA

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST
24+
SOP
50000
100%原裝正品真實庫存,支持實單
 詢價
ST
23+
SOIC-8
13742
原裝正品現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨提供BOM
 詢價
STM
22+
2500
STM代理分銷,價格優(yōu)勢現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
ST
2020
SOP
25000
進口原裝,深圳現(xiàn)貨,可出樣
 詢價
ST
20+
LQFP64
10600
合理報價,正品原裝,假一罰萬
 詢價
ST/意法
19+
SOP-8
20000
全新原裝現(xiàn)貨,特價出售
 詢價
ST
21+
SO-8
150000
原裝正品 深圳現(xiàn)貨
 詢價
ST
21+
SOP-8
35000
原裝現(xiàn)貨
 詢價
ST/意法
22+
SOP8
500000
原裝正品
 詢價
ST
23+
SOP-8
5000
原裝現(xiàn)貨 假一賠十
 詢價
更多LM358DT供應(yīng)商 更新時間2025-1-16 14:30:00

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