首頁 >LM2792LD-L/NOPB>規(guī)格書列表
零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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LM2792LD-L/NOPB | 包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:10-WFDFN 裸露焊盤 類別:集成電路(IC) LED 驅(qū)動器 描述:IC LED DRV RGLTR PWM 34MA 10WSON | TI1Texas Instruments 德州儀器 | TI1 | |
CurrentRegulatedSwitchedCapacitorLEDDriverwithAnalogBrightnessControl | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司 | NSC | ||
CurrentRegulatedSwitchedCapacitorLEDDriverwithAnalogBrightnessControl | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司 | NSC | ||
Lowpowerprimaryfeedbackcontrolchip | LANDPShenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd. 芯茂微深圳市芯茂微電子有限公司 | LANDP | ||
QuadBoostAmplifier ■GENERALDESCRIPTION TheNJM2792isaquadboostamplifierdesignedforcar audiosystem.Itexpandsthefrequencycharacteristicsby highslewrate. Itcanswing14Vpeak-to-peakoutputvoltageat9V.It consistsoffourchannelnon-invertingamplifierwiththegain of8dB. Itissuitable | NJRCNew Japan Radio 新日本無線株式會社 | NJRC | ||
QuadBoostAmplifier ■GENERALDESCRIPTION TheNJM2792isaquadboostamplifierdesignedforcar audiosystem.Itexpandsthefrequencycharacteristicsby highslewrate. Itcanswing14Vpeak-to-peakoutputvoltageat9V.It consistsoffourchannelnon-invertingamplifierwiththegain of8dB. Itissuitable | NJRCNew Japan Radio 新日本無線株式會社 | NJRC | ||
HC49SMD13.56MHzCrystalUnit Features: GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature DescriptionandApplications: HC49SMDcrystalunitforuseinwirelesstelecommunicationsdevices | TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD. | TAI-SAW | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2792AGRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES ?Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=12.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=5A) RDS(on)2=21mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=5A) P-channelRDS(on)1=18mΩMAX.(VGS= | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2792GRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES ?Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=12.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=5A) RDS(on)2=21mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=5A) P-channelRDS(on)1=18mΩMAX.(VGS= | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
N-andP-Channel30V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICWIDEBANDAMPLIFIER | CEL California Eastern Labs | CEL | ||
5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICVHF-UHFWIDEBANDAMPLIFIER DESCRIPTION TheμPC2791TBandμPC2792TBaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedas2ndIFbufferamplifierforDBStuners.TheseICsarepackagedinsuperminimoldpackagewhichissmallerthanconventionalminimold.So,inthecaseofreducingyoursystemsize,μPC2791TBandμPC2792T | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社 | NEC |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
LM2792LD-L/NOPB
- 制造商:
Texas Instruments
- 類別:
集成電路(IC) > LED 驅(qū)動器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 類型:
DC DC 穩(wěn)壓器
- 拓?fù)洌?/span>
開關(guān)電容器(充電泵)
- 內(nèi)部開關(guān):
是
- 輸出數(shù):
2
- 電壓 - 供電(最低):
3V
- 電壓 -?供電(最高):
5.8V
- 電流 - 輸出/通道:
34mA
- 頻率:
1.1MHz
- 調(diào)光:
模擬,PWM
- 應(yīng)用:
背光
- 工作溫度:
-30°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
10-WFDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
10-WSON(3x3)
- 描述:
IC LED DRV RGLTR PWM 34MA 10WSON
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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TI/德州儀器 |
24+ |
na |
5000 |
只做正品原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
TexasInstruments |
18+ |
ICLEDDRIVRWHITEBCKLGT10- |
6580 |
公司原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢! |
詢價 | ||
TI現(xiàn)貨 |
2022+ |
10-DFN |
350000 |
專注TI品牌,現(xiàn)貨,十五年優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商 |
詢價 | ||
Texas Instruments |
24+ |
10-WFDFN 裸露焊盤 |
39500 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | ||
TI |
20+ |
DFN-10 |
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就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件! |
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TI/德州儀器 |
23+ |
10-WSON(3x3) |
8355 |
只做原裝現(xiàn)貨/實單可談/支持含稅拆樣 |
詢價 | ||
Texas Instruments |
24+ |
10-WFDFN 裸露焊盤 |
9350 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
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NS |
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SOP/DIP |
19889 |
一級代理原裝現(xiàn)貨,特價熱賣! |
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NS |
2020+ |
LLP |
4500 |
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
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