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LHA11015C	文件：1.34815 Mbytes Page：2 Pages	COMMON MODE CHOKE COIL FEATURES\| ?Excellentfrequencycharacteristics.\| ?Useofinsulatingmaterialhavingsuperiorflame\| resistance\| ?Availableeitherverticalmountingtype,orhorizontal\| mountingtype.\| APPLICATIONS\| @?Personalcomputersandperipherals.\| @Digitalequipments.\| ?Switching	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
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MAX11015	文件：945.83 Kbytes Page：69 Pages	AutomaticRFMESFETAmplifierDrain-CurrentControllers GeneralDescription TheMAX11014/MAX11015setandcontrolbiasconditionsfordualMESFETpowerdevicesfoundinpoint-topointcommunicationandothermicrowavebasestations.TheMAX11014integratescompletedualanalogclosed-loopdrain-currentcontrollersforClassAMESFETamplifieroperation	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
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MAX11015BGTM+	文件：657.89 Kbytes Page：70 Pages	AutomaticRFMESFETAmplifierDrain-CurrentControllers	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MIL-C-11015	文件：533.07 Kbytes Page：5 Pages	MultilayerCeramicCapacitors CKandCKRMilitaryGradeCapacitors MIL-C-11015&39014-CKandCKR-militarygradecapacitorsareavailableasradialandaxialleaded capacitorswiththeoptionofhotsolderdippedleadsontheCKRs. Highlights Availableontapeandreel Moldedcaseconstruction	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
MJ11015	文件：195.82 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
MJ11015	文件：176.82 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARDARLINGTONPOWERTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MJ11015	文件：68.41 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJ11015	文件：157.15 Kbytes Page：4 Pages	DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON High-CurrentComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighDCCurrentGain—hFE=1000(Min)@IC–20Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt–inBaseEmitterShuntResistor ?JunctionTemperatureto+200°C	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJ11015	文件：157.15 Kbytes Page：4 Pages	30AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60.120VOLTS200WATTS High-CurrentComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@IC?20Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt?inBaseEmitterShuntResistor ?JunctionTemperatureto+200C	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MJ11015	文件：140.07 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(30A,60-120V,200W) COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ...designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighGainDarlingtonPerformance ?HighDCCurrentGainhFE=1000(Min)@IC=20A ?MonolithicConstructionwithBuilt?inBaseEmitterShun	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司	MOSPEC
MJ11015	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistors PowerTransistors TO-3Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central
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MJ11015	文件：53.44 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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更多LHA11015C供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-24 11:06:00

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