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LET20030C分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

LET20030C
廠商型號

LET20030C

參數(shù)屬性

LET20030C 封裝/外殼為M243;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 80V 2GHZ M243

功能描述

RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
FET RF 80V 2GHZ M243

封裝外殼

M243

文件大小

37.44 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-22 16:55:00

LET20030C規(guī)格書詳情

LET20030C屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的LET20030C晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

DESCRIPTION

The LET20030C is a common source N-Channel enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 2.0 GHz. The LET20030C is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 26 V. It is ideal for base station applications requiring high linearity.

Designed for GSM / EDGE / IS-97 applications

? IS-97 CDMA PERFORMANCES

POUT = 4.5 W

EFF. = 17

? EXCELLENT THERMAL STABILITY

? COMMON SOURCE CONFIGURATION

? POUT = 30 W with 11 dB gain @ 2000 MHz

? ESD PROTECTION

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    LET20030C

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2GHz

  • 增益:

    13.9dB

  • 額定電流(安培):

    9A

  • 功率 - 輸出:

    45W

  • 封裝/外殼:

    M243

  • 供應商器件封裝:

    M243

  • 描述:

    FET RF 80V 2GHZ M243

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
22+
M243
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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ST/意法
2023+
PowerSO-10RF
1800
專注全新正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨供應
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ST
23+
PowerSO-10RF
16900
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ST
22+
原廠原封
16900
支持樣品 原裝現(xiàn)貨 提供技術(shù)支持!
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24+
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7500
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24+
M243
96000
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7000
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