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LBAS70LT1G	文件：66.24 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE Low forward current DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdiodeswithanintegratedguardringforstressprotection.Singlediodesanddoublediodeswithdifferentpinningareavailable. WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. Features ●Lowforwardcurrent ●Highbreakdownvolta	LRCLeshan Radio Company 樂山無線電樂山無線電股份有限公司	LRC
LBAS70LT1G_15	文件：96.14 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE	LRCLeshan Radio Company 樂山無線電樂山無線電股份有限公司	LRC
LBAV70LT1	文件：62.65 Kbytes Page：3 Pages	MonolithicDualSwitchingDiodeCommonCathode MonolithicDualSwitchingDiode CommonCathode ●Pb?FreePackageisAvailable.	LRCLeshan Radio Company 樂山無線電樂山無線電股份有限公司	LRC
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LBCW70LT1G	文件：344.26 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	LRCLeshan Radio Company 樂山無線電樂山無線電股份有限公司	LRC
MMBTA70LT1	文件：289.86 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor(PNPSilicon) GeneralPurposeTransistor PNPSilicon	LRCLeshan Radio Company 樂山無線電樂山無線電股份有限公司	LRC
MMBTA70LT1	文件：434 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistor(PNPSilicon) GeneralPurposeTransistor PNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MMBTA70LT1	文件：434 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MMBTA70LT1G	文件：245.98 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NSVBAS70LT1G	文件：88.82 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiodes SchottkyBarrierDiodes TheseSchottkybarrierdiodesaredesignedforhighspeedswitching applications,circuitprotection,andvoltageclamping.Extremelylow forwardvoltagereducesconductionloss.Miniaturesurfacemount packageisexcellentforhandheldandportableapplicationswhere	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI

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