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L8821P中文資料Polyfet數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

L8821P
廠商型號

L8821P

功能描述

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

文件大小

40.5 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Polyfet RF Devices
企業(yè)簡稱

Polyfet

中文名稱

Polyfet RF Devices官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-3-23 15:00:00

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L8821P規(guī)格書詳情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features low feedback and output capacitances, resulting in high F transistors with high input impedance and high efficiency.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    L8821P

  • 制造商:

    POLYFET

  • 制造商全稱:

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述:

    SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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