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L6385ED集成電路（IC）的柵極驅動器規(guī)格書PDF中文資料

L6385ED
廠商型號

L6385ED
參數(shù)屬性

L6385ED 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的柵極驅動器；產品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
功能描述

High-voltage high and low side driver
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
文件大小

199.99 Kbytes
頁面數(shù)量

16 頁
生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-6 22:30:00

L6385ED規(guī)格書詳情

L6385ED屬于集成電路（IC）的柵極驅動器。由意法半導體集團制造生產的L6385ED柵極驅動器柵極驅動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉換應用中控制設備的信號連接到電源被控制通過的半導體設備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅動的半導體配置相關。

Description

The L6385E is an high-voltage device, manufactured with the BCDOFF-LINE technology. It has an Half - Bridge Driver structure that enables to drive independent referenced N Channel Power MOS or IGBT. The High Side (Floating) Section is enabled to work with voltage Rail up to 600V. The Logic Inputs are CMOS/TTL compatible for ease of interfacing with controlling devices.

Features

■ High voltage rail up to 600V

■ dV/dt immunity ±50V/nsec in full temperature range

■ Driver current capability:

– 400mA source,

– 650mA sink

■ Switching times 50/30 nsec rise/fall with 1nF load

■ CMOS/TTL Schmitt trigger inputs with hysteresis and pull down

■ Under voltage lock out on lower and upper driving section

■ Internal bootstrap diode

■ Outputs in phase with inputs

產品屬性

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  • 產品編號：

    L6385ED

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅動器

  • 包裝：

    管件

  • 驅動配置：

    半橋

  • 通道類型：

    獨立式

  • 柵極類型：

    IGBT，N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    17V（最大）

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    1.5V，3.6V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    400mA，650mA

  • 輸入類型：

    反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    50ns，30ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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