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KTC2110AECAA-D-TR	文件：851.64 Kbytes Page：13 Pages	3.0MHz High Efficiency Low IQ Synchronous Boost Features ?WideInputVoltageRange:2.5Vto5.5V ?OutputVoltage5.4V ?IOUTupto1.0AatVOUT=5.4V,VIN≥3.0V ?3MHzPWMSwitchingFrequency ?HighEfficiencyandLowQuiescentCurrent ?Over95Efficiency ?35μAQuiescentCurrentinBypassMode ?55μAQuiescentCurrentinPFM	KINETICKinetic Technologies. 芯凱電子芯凱電子科技（上海）有限公司	KINETIC
KTC2110ECAA-TR	文件：685.81 Kbytes Page：14 Pages	3.0MHzHighEfficiencyLowIQSynchronousBoost Features WideInputVoltageRange:2.5Vto5.5V OutputVoltage5.0V IOUTupto1.0AatVOUT=5.0V,VIN≥3.0V 3MHzPWMSwitchingFrequency HighEfficiencyandLowQuiescentCurrent ?Over95Efficiency ?1μAShutdownCurrent ?35μAQuiescentCurrentinPassThrough ?55μAQuiescent	KINETICKinetic Technologies. 芯凱電子芯凱電子科技（上海）有限公司	KINETIC
LA2110	文件：159.15 Kbytes Page：6 Pages	FMNoiseCanceller Overview TheLA2110hasthecapabilitytoeffectivelyremoveexternalnoise(pulsenoise)causedbyengine,etc.andisusedinconjunctionwithaPLLFMmultiplexstereodemodulator(suchasLA3375)withpilotsignalcanceller. Features ?Pilotsignalcompensationfunction. ?Byusi	SANYOSanyo 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
LEC-2110E	文件：249.6 Kbytes Page：2 Pages	FanlessIndustrialPCw/DualCoreIntelAtomD5251.8GHzCPU	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
LEC-2110P	文件：249.6 Kbytes Page：2 Pages	FanlessIndustrialPCw/DualCoreIntelAtomD5251.8GHzCPU	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
LH2110	文件：74.03 Kbytes Page：2 Pages	DUALVOLTAGEFOLLOWERS	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LH2110	文件：4.13074 Mbytes Page：122 Pages	P-CHANNELJFET GENERALINFORMATION/CROSSREFERENCES	Intersil Intersil Corporation	Intersil
LH2110D	文件：74.03 Kbytes Page：2 Pages	DUALVOLTAGEFOLLOWERS	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH2110	文件：161.38 Kbytes Page：4 Pages	8GHzLogarithmicRMSPowerDetectorwith45dBDynamicRange	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH2110	文件：1.75329 Mbytes Page：6 Pages	evaluationboardisdesignedtohelptheevaluation	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH2110	文件：1.3555 Mbytes Page：36 Pages	8-GHzLogarithmicRMSPowerDetectorwith45-dBDynamicRange	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
LMH2110	文件：1.10146 Mbytes Page：33 Pages	LogarithmicRootMeanSquareResponse	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
LMH2110TM	文件：161.38 Kbytes Page：4 Pages	8GHzLogarithmicRMSPowerDetectorwith45dBDynamicRange	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH2110TM/NOPB	文件：1.3555 Mbytes Page：36 Pages	8-GHzLogarithmicRMSPowerDetectorwith45-dBDynamicRange	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
LMH2110TMX	文件：161.38 Kbytes Page：4 Pages	8GHzLogarithmicRMSPowerDetectorwith45dBDynamicRange	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH2110TMX/NOPB	文件：1.3555 Mbytes Page：36 Pages	8-GHzLogarithmicRMSPowerDetectorwith45-dBDynamicRange	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
LPA2110	文件：480.48 Kbytes Page：10 Pages	Filterless30WClassDMonoAudioAmplifier	POWERLowpower Semiconductor inc 微源半導(dǎo)體微源半導(dǎo)體股份有限公司	POWER
LSC2110	文件：156.31 Kbytes Page：8 Pages	1mW14PinDILCooledLaserModules Description LSCX110lasermodulesarehighlyreliablefiberopticlightsourcesoperatinginthe1300nanometerband.TheinternalsemiconductorlasersarebaseduponInGaAsPburiedheterostructure(BH)technologyandfabricatedbytheMetalOrganicVaporPhaseEpitaxy(MOVPE)process,resulting	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷倫科技安捷倫科技有限公司	HP
LSC2110-BI	文件：156.31 Kbytes Page：8 Pages	1mW14PinDILCooledLaserModules Description LSCX110lasermodulesarehighlyreliablefiberopticlightsourcesoperatinginthe1300nanometerband.TheinternalsemiconductorlasersarebaseduponInGaAsPburiedheterostructure(BH)technologyandfabricatedbytheMetalOrganicVaporPhaseEpitaxy(MOVPE)process,resulting	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷倫科技安捷倫科技有限公司	HP
LSC2110-DN	文件：156.31 Kbytes Page：8 Pages	1mW14PinDILCooledLaserModules Description LSCX110lasermodulesarehighlyreliablefiberopticlightsourcesoperatinginthe1300nanometerband.TheinternalsemiconductorlasersarebaseduponInGaAsPburiedheterostructure(BH)technologyandfabricatedbytheMetalOrganicVaporPhaseEpitaxy(MOVPE)process,resulting	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷倫科技安捷倫科技有限公司	HP

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深圳市永貝爾科技有限公司	KTC2120	KEC	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
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更多KTC2110AECAA-D-TR供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-26 9:02:00

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