KSC2001分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
KSC2001 |
參數(shù)屬性 | KSC2001 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 25V 0.7A TO92-3 |
功能描述 | NPN GENERAL PURPOSE APPLICATIONS HIGH TOTAL POWER DISIPATION) |
文件大小 |
28.43 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
1 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Samsung semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
Samsung【三星】 |
中文名稱 | 三星半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-29 19:53:00 |
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GENERAL PURPOSE APPLICATIONS HIGH TOTAL POWER DISIPATION (PT = 600 mW)
High hFE and LOW VCE(sat)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
KSC2001GTA
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
600mV @ 70mA,700mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 100mA,1V
- 頻率 - 躍遷:
170MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-92-3
- 描述:
TRANS NPN 25V 0.7A TO92-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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