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KF3N50DZ/IZ	文件：410.45 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N50DZIZ	文件：410.45 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N50FS	文件：86.24 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N50FZ	文件：73.66 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N50FZ	文件：86.24 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N50IZ	文件：410.45 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KSMD3N50C	文件：1.68729 Mbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU3N50C	文件：1.68729 Mbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MDD3N50G	文件：1.033099 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,2.8A,2.5(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDD3N50GRH	文件：352.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=2.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MDD3N50GRH	文件：1.033099 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,2.8A,2.5(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF3N50	文件：769.65 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,2.8A,2.5(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MTP3N50	文件：301.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=450V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP3N50	文件：251.87 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET3.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=3.0OHMS TMOSE-FET?HighEnergyPowerFET N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET3.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=3.0OHMS ThisadvancedhighvoltageTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffer	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP3N50	文件：1.08664 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MTP3N50E	文件：317.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP3N50E	文件：236.02 Kbytes Page：8 Pages	N??hannelEnhancement??odeSiliconGate	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP3N50E	文件：251.87 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET3.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=3.0OHMS TMOSE-FET?HighEnergyPowerFET N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET3.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=3.0OHMS ThisadvancedhighvoltageTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffer	Motorola Motorola, Inc	Motorola
PHB3N50E	文件：78.35 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP3N50Eissupplied	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHP3N50	文件：1.08652 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳兆威電子有限公司	KF3N50DZFQD3N51C	VB	2019	SOT-252	55000	絕對原裝正品假一罰十!	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	KF3N50DZFQD3N51C	FAIRCHILD	2023+	SOT-252	80000	一級代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	KF3N50DZFQD3N51C	F	23+	SOT-252	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	KF3N50DZFQD3N51C	F	SOT-252	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	KF3N50DZFQD3N51C	F	23+	SOT-252	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	KF3N50DZFQD3N51C	F	22+	SOT-252	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	KF3N50DZ-RTF/H	KEC	23+	TO-252	13000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種	詢價(jià)
深圳市富誠威科技有限公司	KF3N50DZ-RTF/HS	KEC	22+	TO-252	3255	強(qiáng)勢庫存!原裝現(xiàn)貨!	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	KF3N50FS-U/PSF	KEC	22+	TO-220IS(1)	50000	原裝正品.假一罰十	詢價(jià)
深圳市辰德隆電子科技有限公司	KF3N50FS-U/PSF	KEC	23+	TO-220IS(1)	6000	生態(tài)型分銷-代理/現(xiàn)貨/訂貨/調(diào)貨/技術(shù)	詢價(jià)

更多KF3N50DZ/IZ供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-23 11:30:00

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