KDB5690中文資料科信電子數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
KDB5690 |
| 功能描述 | N-Channel PowerTrenchTMMOSFET |
| 文件大小 |
58.8 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
KEXIN【科信電子】 |
| 中文名稱 | 廣東科信實(shí)業(yè)有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-4-10 13:36:00 |
| 人工找貨 | KDB5690價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
KDB5690規(guī)格書詳情
Features
● 32 A, 60 V. RDS(ON) = 0.027 Ω @ VGS = 10 V
RDS(ON) = 0.032 Ω @ VGS = 6 V
● Critical DC electrical parameters specified at
elevated temperature.
● Rugged internal source-drain diode can eliminate the
need for an external Zener diode transient suppressor.
● High performance trench technology for extremely low RDS(ON).
● 175°C maximum junction temperature rating.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
KDB5690
- 制造商：
KEXIN
- 制造商全稱：
Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd
- 功能描述：
N-Channel PowerTrenchTMMOSFET
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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