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K4075

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK4075isN-channelMOSFETdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.7mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?LowCiss:Ciss=2900pFT

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

KTC4075

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING)

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KTC4075

TRANSISTOR(NPN)

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ExcellenthFElinearity ●HighhFE ●LowNoise ●ComplementarytoKTA2014

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

KTC4075

TRANSISTOR竊?PN竊

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.1W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.15A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

KTC4075

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●HighandexcellentDCcurrentgain. ●ComplementarytoKTA2014. ●Smallpackage. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplication. ●Switchingapplication.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

KTC4075

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES ●ExcellenthFElinearity ●HighhFE ●LowNoise ●ComplementarytoKTA2014

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導(dǎo)體深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司

KTC4075

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES ?ExcellenthFElinearity ?HighhFE ?LowNoise ?ComplementarytoKTA2014

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

KTC4075

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

KTC4075

General,PurposeApllication,SwitchingApplication

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

KTC4075

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES ?ExcellenthFElinearity ?HighhFE ?LowNoise ?ComplementarytoKTA2014

MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

美科半導(dǎo)體美科半導(dǎo)體股份（香港）有限公司

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更多K4075供應(yīng)商 更新時間2025-3-4 15:14:00

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