K13A50D中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	K13A50D
功能描述	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)
文件大小	279.35 Kbytes
頁面數(shù)量	6 頁
生產(chǎn)廠商	Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱	TOSHIBA【東芝】
中文名稱	株式會社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
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更新時間	2025-2-2 15:00:00

Switching Regulator Applications

Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.31 Ω (typ.)

High forward transfer admittance: ?Yfs? = 7.5 S (typ.)

Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 500 V)

Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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