JTDB75分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
JTDB75 |
| 參數(shù)屬性 | JTDB75 封裝/外殼為55AW；包裝為散裝；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW |
| 功能描述 | High power COMMON BASE bipolar transistor. |
| 封裝外殼 | 55AW |
| 文件大小 |
233.33 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
3 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | GHz Technology |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
GHZTECH |
| 中文名稱(chēng) | GHz Technology官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-28 17:26:00 |
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GENERAL DESCRIPTION
The JTDB 75 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems in the frequency band 960-1215 MHz. The device has gold thin-film metallization and diffused ballasting for proven highest MTTF. The transistor includes input and output prematch for broadband capability. Low thermal resistance package reduces junction temperature, extends life.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
JTDB75
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類(lèi)型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
55V
- 頻率 - 躍遷：
960MHz ~ 1.215GHz
- 增益：
7dB ~ 8.2dB
- 功率 - 最大值：
220W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 1A，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
8A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
55AW
- 供應(yīng)商器件封裝：
55AW
- 描述：
RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
XP |
23 |
DIP |
55000 |
原廠渠道原裝正品假一賠十 |
詢價(jià) | ||
ETC |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
55AW |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo) |
詢價(jià) | ||
GHZ |
24+ |
140 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | |||
XP |
23+ |
DIP |
13000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
46000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
GHZ |
23+ |
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房間現(xiàn)貨庫(kù)存:QQ:373621633 |
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