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JTDB25

High power COMMON BASE bipolar transistor.

GENERALDESCRIPTION TheJTDB25isahighpowerCOMMONBASEbipolartransistor.Itisdesignedforpulsedsystemsinthefrequencyband960-1215MHz.Thedevicehasgoldthin-filmmetallizationanddiffusedballastingforprovenhighestMTTF.Thetransistorincludesinputandoutputprematchfor

GHZTECH

GHz Technology

JTDB25

25 Watts, 36 Volts, Pulsed Avionics, 960-1215 MHz

GENERALDESCRIPTION TheJTDB25isahighpowerCOMMONBASEbipolartransistor.Itisdesignedforpulsedsystemsinthefrequencyband960-1215MHz.Thedevicehasgoldthin-filmmetallizationanddiffusedballastingforprovenhighestMTTF.Thetransistorincludesinputandoutputprematchforb

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

JTDB25

25 Watts, 36 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz

[GHz-Technology] GENERALDESCRIPTION TheJTDB25isahighpowerCOMMONBASEbipolartransistor.Itisdesignedforpulsedsystemsinthefrequencyband960-1215MHz.Thedevicehasgoldthin-filmmetallizationanddiffusedballastingforprovenhighestMTTF.Thetransistorincludesinputandou

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JTDB25

包裝:散裝 封裝/外殼:55AW-1 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    JTDB25

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    55V

  • 頻率 - 躍遷:

    960MHz ~ 1.215GHz

  • 增益:

    7.5dB

  • 功率 - 最大值:

    97W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 500mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    5A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    55AW-1

  • 供應商器件封裝:

    55AW-1

  • 描述:

    RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
GHZTECH
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GHZ
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Microsemi Corporation
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55AW-1
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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23+
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原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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XP
23
DIP
55000
原廠渠道原裝正品假一賠十
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更多JTDB25供應商 更新時間2025-1-15 14:17:00