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SIHD4N80E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHD4N80E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

·FEATURES ·DrainCurrent–ID=4.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on):1.27Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·UltraLowOn-resistance

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SIHP4N80E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SIHP4N80E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Se

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHU4N80AE

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Loweffectivecapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHU4N80E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SSH4N80

N-CHANNELPOWERMOSFETS

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

SSH4N80

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SSH4N80AS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SSI4N80A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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SINO-MICRO
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絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進口現(xiàn)貨
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TO-220F
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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華微/韓國太虹
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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更多JCS4N80CH-O-C-N-B供應(yīng)商 更新時間2025-6-11 14:02:00

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