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MGP4N60ED

InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode

InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–block

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多JCS4N60FB-O-F-N-B供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 14:01:00