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JANTXV1N6631

ULTRA FAST RECTIFIERS

DESCRIPTION This“UltrafastRecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/590andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustry-recognized2.0to4.0Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom200to100

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

JANTXV1N6631

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：E，軸向 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

JANTXV1N6631US

ULTRA FAST RECTIFIERS

DESCRIPTION This“UltrafastRecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/590andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustry-recognized2.0to4.0Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom200to100

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

JANTXV1N6631U

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：SQ-MELF，B 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：UFR,FRR

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

JANTXV1N6631US

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：E-MELF 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

1N6631

ULTRAFASTRECTIFIERS

DESCRIPTION This“UltrafastRecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/590andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustry-recognized2.0to4.0Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom200to100

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N6631

VOIDLESS-HERMETICALLYSEALEDULTRAFASTRECOVERYGLASSRECTIFIERS

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N6631

UltrafastRecoveryRectifier

?Hermetic,non-cavityglasspackage ?Metallurgicallybonded ?OperatingandStorageTemperature:-65oCto+175o

SENSITRON

Sensitron

1N6631

UltrafastRecoveryRectifier

SENSITRON

Sensitron

1N6631

VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALEDULTRAFASTRECOVERYGLASSRECTIFIERS

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N6631

ULTRAFASTRECTIFIERS

Features ?AXIALANDSURFACEMOUNTCONFIGURATIONS ?HIGHVOLTAGEWITHULTRAFASTRECOVERYTIME ?VERYLOWSWITCHINGLOSSATHIGHTEMPERATURE ?LOWCAPACITANCE ?METALLURGICALLYBONDED ?NON-CAVITYGLASSPACKAGE ?SURFACEMOUNTDIODESTHERMALLYMATCHEDFORUSEONCERAMICPRINTEDWIRINGBOARD

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

1N6631

ULTRAFASTRECTIFIERS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

1N6631

ULTRAFASTRECTIFIERS

ULTRAFASTRECTIFIERS Note1:LowCurrentReverseRecoveryTimeTestConditionsIF=0.5A,IRM=1.0A,IR(REC)=0.25A. Note2:HighCurrentReverseRecoveryTimeTestConditionsIF=2.0A,100A/μs,MIL-STD-750,METHOD4031,CONDITIOND.

DIGITRON

Digitron Semiconductors

1N6631

HYPERFASTRECOVERYRECTIFIER

FEATURES: ●HyperFastRecovery:30-60nsecmaximum ●PIVupto1200Volts ●LowReverseLeakageCurrent ●HermeticallySealed ●VoidFreeConstruction ●ForHighEfficiencyApplications ●TypicalWeight:0.75g(AxialLeaded);0.45g(SMS) ●TX,TXV,andSpaceLevelScreeningAvailable2

SSDI

Solid States Devices, Inc

1N6631A

HYPERFASTRECOVERYRECTIFIER

FEATURES: ●HyperFastRecovery:30-60nsecmaximum ●PIVupto1200Volts ●LowReverseLeakageCurrent ●HermeticallySealed ●VoidFreeConstruction ●ForHighEfficiencyApplications ●TypicalWeight:0.75g(AxialLeaded);0.45g(SMS) ●TX,TXV,andSpaceLevelScreeningAvailable2

SSDI

Solid States Devices, Inc

1N6631B

HYPERFASTRECOVERYRECTIFIER

FEATURES: ●HyperFastRecovery:30-60nsecmaximum ●PIVupto1200Volts ●LowReverseLeakageCurrent ●HermeticallySealed ●VoidFreeConstruction ●ForHighEfficiencyApplications ●TypicalWeight:0.75g(AxialLeaded);0.45g(SMS) ●TX,TXV,andSpaceLevelScreeningAvailable2

SSDI

Solid States Devices, Inc

1N6631U

UltrafastRecoveryRectifier

?Hermetic,non-cavityglasspackage ?Metallurgicallybonded ?OperatingandStorageTemperature:-65oCto+175o

SENSITRON

Sensitron

1N6631U

UltrafastRecoveryRectifier

SENSITRON

Sensitron

1N6631US

ULTRAFASTRECTIFIERS

Features ?AXIALANDSURFACEMOUNTCONFIGURATIONS ?HIGHVOLTAGEWITHULTRAFASTRECOVERYTIME ?VERYLOWSWITCHINGLOSSATHIGHTEMPERATURE ?LOWCAPACITANCE ?METALLURGICALLYBONDED ?NON-CAVITYGLASSPACKAGE ?SURFACEMOUNTDIODESTHERMALLYMATCHEDFORUSEONCERAMICPRINTEDWIRINGBOARD

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

1N6631US

VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALEDSURFACEMOUNTULTRAFASTRECOVERYGLASSRECTIFIERS

DESCRIPTION This“UltrafastRecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/590andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustry-recognized2.0to4.0Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom200to100

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    JANTXV1N6631

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列：

    Military, MIL-PRF-19500/590

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 二極管類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    1.4A

  • 速度：

    快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 不同?Vr、F 時(shí)電容：

    40pF @ 10V，1MHz

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    E，軸向

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    E-PAK

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -65°C ~ 150°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多JANTXV1N6631供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-27 14:32:00

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