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JANTXV1N3890TR	文件：288.39 Kbytes Page：3 Pages	SILICON 1 WATT ZENER DIODES DESCRIPTION Thiswellestablishedzenerdiodeseriesforthe1N3821thru1N3830AJEDECregistrationintheglasshermeticsealedDO-13packageprovidesalowvoltageselectionfor3.3to7.5volts.ItisalsowellsuitedforhighreliabilityapplicationswhereitisavailableinJAN,JANTX,andJA	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3890	文件：756.99 Kbytes Page：3 Pages	SiliconFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N3890	文件：147.89 Kbytes Page：8 Pages	FastRecoveryDiodes(StudVersion),6A,12A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
1N3890	文件：706.22 Kbytes Page：3 Pages	SiliconFastRecoveryDiode Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto400VVRRM ?NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
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1N3890	文件：528.11 Kbytes Page：7 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERS DESCRIPTION This1N3889–1N3891and1N3893familyofrectifierdevicesaresuitableforapplicationsinDCpowersupplies,inverters,converters,choppersandultrasonicsystemsaswellasotherapplications.Itcanalsobeusedasafree-wheelingdiode.TheyaremilitaryqualifieduptoaJANTX	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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1N3890	文件：315.41 Kbytes Page：8 Pages	6A,12AAND16AFASTRECOVERYRECTIFIERS FEATURES ■Shortreverserecoverytime ■Lowstoredcharge ■Widecurrentrange ■Excellentsurgecapabilities ■StandardJEDECtypes ■Studcathodeandstudanodeversions ■Fullycharacterizedreverserecoveryconditions	IRF International Rectifier	IRF
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1N3890	文件：725.13 Kbytes Page：3 Pages	SiliconFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N3890	文件：528.1 Kbytes Page：7 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERSQualifiedperMIL-PRF-19500/304 DESCRIPTION This1N3889–1N3891and1N3893familyofrectifierdevicesaresuitableforapplicationsinDCpowersupplies,inverters,converters,choppersandultrasonicsystemsaswellasotherapplications.Itcanalsobeusedasafree-wheelingdiode.TheyaremilitaryqualifieduptoaJANTX	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3890	文件：2.0733 Mbytes Page：13 Pages	FastRecoveryDiodes(StudVersion),6/12/16A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
1N3890	文件：88.56 Kbytes Page：3 Pages	HIGHRELIABILITYFASTRECOVERYRECTIFIER	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3890	文件：94.37 Kbytes Page：1 Pages	FastRectifier,10AI(O)/I(F)s20A FASTRECOVERYPOWERRECTIFIERS50-800VOLTS12AMPERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N3890	文件：137.2 Kbytes Page：1 Pages	STUDMOUNTEDFASTRECOVERYPOWERRECTIFIERS FASTRECOVERYPOWERRECTIFIERS50-800VOLTS12AMPERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
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1N3890	文件：2.04834 Mbytes Page：11 Pages	FastRecoveryDiodes(StudVersion) FEATURES ?Shortreverserecoverytime ?Lowstoredcharge ?Widecurrentrange ?Excellentsurgecapabilities ?StandardJEDEC?types ?Studcathodeandstudanodeversions ?Fullycharacterizedreverserecoveryconditions ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleasese	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
1N3890	文件：288.39 Kbytes Page：3 Pages	SILICON1WATTZENERDIODES DESCRIPTION Thiswellestablishedzenerdiodeseriesforthe1N3821thru1N3830AJEDECregistrationintheglasshermeticsealedDO-13packageprovidesalowvoltageselectionfor3.3to7.5volts.ItisalsowellsuitedforhighreliabilityapplicationswhereitisavailableinJAN,JANTX,andJA	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3890	文件：111.49 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryRectifier FastRecoveryRectifier ●FastRecoveryRectifier ●175°CJunctionTemperature ●VRRM100to400Volts ●12AmpsCurrentRating	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3890A	文件：111.24 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryRectifier FastRecoveryRectifier ●FastRecoveryRectifier ●175°CJunctionTemperature ●VRRM100to400Volts ●20AmpsCurrentRating	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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