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KSMD2N40	文件：1.64892 Mbytes Page：8 Pages	400VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU2N40	文件：1.64892 Mbytes Page：8 Pages	400VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MSF2N40	文件：953.71 Kbytes Page：6 Pages	400VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTB2N40E	文件：271.37 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET2.0AMPERES400VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD2N40E	文件：268.13 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET2.0AMPERES400VOLTSRDS(on)=3.5OHM TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationscheme	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD2N40E	文件：265.85 Kbytes Page：10 Pages	N??hannelDPAKPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP2N40	文件：300.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP2N40	文件：791.66 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,2.25A,350-400V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriverandhighenergypulsecircuits. ?LowRDS(on) ?VGSRatedat±20V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTP2N40	文件：360.17 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
MTP2N40	文件：791.66 Kbytes Page：3 Pages	IRF710-713MTP2N35/2N40N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriverandhighenergypulsecircuits. ?LowRDS(on) ?VGSRatedat±20V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTP2N40	文件：147.35 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,2.25A,350-400V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriverandhighenergypulsecircuits. ?LowRDS(on) ?VGSRatedat±20V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MTP2N40E	文件：213.84 Kbytes Page：7 Pages	N??hannelEnhancement??odeSiliconGate	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP2N40E	文件：217.16 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET2.0AMPERES400VOLTSRDS(on)=3.5OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP2N40E	文件：1.08666 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PHP2N40	文件：1.08655 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PHP2N40	文件：57.85 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableoff-statecharacteristics,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePower	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHP2N40E	文件：1.08657 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PHP2N40E	文件：21.14 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHX2N40E	文件：24.89 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOStransistorIsolatedversionofPHP4N40E GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinafullpack,plasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePow	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
SW2N40D	文件：909.37 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancedmodeTO-92/SOT-223MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER

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更多JANTX2N40A供應(yīng)商更新時間2025-1-15 13:30:00

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